- جمعه / ۹ شهریور ۱۴۰۳ / ۱۴:۱۷
- دسته‌بندی: نانو فناوری
- کد خبر: 1403060905288
- منبع : ستاد ویژه توسعه فناوری نانو
- چاپ
ترانزیستورهای گرافن/ژرمانیوم داغ می‌توانند فناوری‌های محاسبات و ارتباطات نسل بعدی را به خوبی پشتیبانی کنند.
به گزارش ایسنا، ترانزیستورهای حامل داغ، گروهی از قطعات الکترونیکی هستند که از انرژی جنبشی اضافی حامل‌ها بهره می‌برند. بر خلاف ترانزیستورهای معمولی که به حمل و نقل حامل حالت پایدار متکی هستند، ترانزیستورهای حامل داغ حامل‌ها را به حالت‌های پر انرژی تعدیل می‌کنند و در نتیجه سرعت و عملکرد دستگاه افزایش می‌یابد. این خصوصیات برای برنامه‌هایی که نیاز به سوئیچینگ سریع و عملیات با فرکانس بالا دارند، مانند ارتباطات پیشرفته و فناوری‌های محاسبات برش ضروری است. با این حال، عملکرد آنها با چگونگی تولید حامل‌های داغ به طور سنتی محدود شده است.
تیمی از محققان به سرپرستی پروفسور لیو چی، پروفسور سان دونگمینگ و پروفسور چنگ هویمینگ از انستیتوی تحقیقات فلزی (IMR) آکادمی علوم چین، ساز و کار جدید تولید حامل داغ به نام نشر تحریک شده حامل‌های گرم (SEHC) را پیشنهاد کرده‌اند. این تیم همچنین یک ترانزیستور نوآورانه‌ای به نام ترانزیستور نشر داغ (HOET) را توسعه داده است که می‌تواند تبادل در زیر آستانه 1 mV/dec را ایجاد کند و نسبت قله به قعر پیک‌ها نیز به بیش از ۱۰۰ برسد. این تحقیقات نمونه اولیه از یک قطعه الکترونیکی است که چند کاره بوده، مصرف کمی داشته و به دوره پس از قانون مور تعلق دارد.
مواد کم بعدی مانند گرافن، به دلیل ضخامت اتمی اندکی که دارند، خاصیت هدایت الکتریکی و نوری عالی داشته و با سطح کامل و بدون نقص به راحتی می‌توانند ساختارهای هترو را با سایر مواد تشکیل دهند. این امر انواع مختلفی از گروه‌های باند انرژی را ایجاد می‌کند و امکانات جدیدی را برای توسعه ترانزیستورهای حامل داغ جدید ارائه می‌دهد.
محققان IMR با استفاده از ترکیبی از گرافن و ژرمانیوم، یک ترانزیستور نشردهنده داغ ایجاد کردند که منجر به مکانیسم نوآورانه برای تولید حامل داغ شده است. این ترانزیستور جدید از اتصالات گرافن/ژرمانیوم شوتکی برخوردار است.
به نقل از ستاد نانو، در حین کار، ژرمانیوم حامل‌های پر انرژی را به پایه گرافن تزریق می‌کند، سپس داخل انتشار دهنده پراکنده می‌شود و به دلیل حامل‌های از قبل گرم شده در آنجا باعث افزایش جریان قابل توجهی می‌شود. این نوسانات زیر آستانه کمتر از 1 mV/dec از حد معمول بولتزمن، ۶۰ mV/dec، پیشی می‌گیرد.
در همین حال، این ترانزیستور همچنین نسبت جریان قله به قعر بیش از ۱۰۰ در دمای اتاق را نشان می‌دهد. لیو گفت: نتایج این کار قلمرو جدیدی را در تحقیقات ترانزیستور باز می‌کند و یک عضو ارزشمند را به خانواده ترانزیستورهای حامل داغ اضافه می‌کند و چشم‌انداز گسترده‌ای را برای کاربرد آنها در دستگاه‌های با کارایی بالا، کم مصرف و چند منظوره ایجاد می‌کند.
انتهای پیام
-
افزایش کاربران هفتگی «چت جی‌پی‌تی» به ۲۰۰ میلیون نفر/ضربان‌سازی که در بدن حل می‌شود
- خرید برنج ایرانی مستقیم از کشاورز با کف قیمت بازار آخرین قیمت انواع برنج ایرانی در سال 1403 دانلود آهنگ خرید بلیط هواپیما بوکینگ مبلمان اداری دانلود آهنگ سویل موزیک جمینجا خرید سی پی ارزان آپ موزیک موزیکفا سایت تخصصی فیلم و سریال بلیط هواپیما فلای‌تو‌دی بلیط هواپیما تو‌ر دبی روغن هیدرولیک سرور مجازی ایران طراحی سایت فروشگاه تخصصی تشک و تخت عطاری آنلاین لیفت صورت با نخ ژل میکروسیلیس تعمیر ژنراتور قیمت میلگرد امروز سنگ قبر خرید هاست خرید سرور مجازی بلیط اتوبوس HP خرید سرور تاریخ ما دانلود ریمیکس‌های جدید دانلود آهنگ معروف خرید نهال erp نرم‌افزار مانتو
- در زمینه انتشار نظرات مخاطبان رعایت چند مورد ضروری است:
- -لطفا نظرات خود را با حروف فارسی تایپ کنید.
- -«ایسنا» مجاز به ویرایش ادبی نظرات مخاطبان است.
- – ایسنا از انتشار نظراتی که حاوی مطالب کذب، توهین یا بی‌احترامی به اشخاص، قومیت‌ها، عقاید دیگران، موارد مغایر با قوانین کشور و آموزه‌های دین مبین اسلام باشد معذور است.
- – نظرات پس از تأیید مدیر بخش مربوطه منتشر می‌شود.
